電子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品及廠家
德國(guó)sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)，包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預(yù)真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機(jī)械手臂，可適用于三至六個(gè)端口。可以使用多達(dá)兩個(gè)片盒站來(lái)增加產(chǎn)量。傳送腔室可以配備多種選擇。
更新時(shí)間:2024-12-20
sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)，sentech多腔系統(tǒng)包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預(yù)真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機(jī)械手臂，可適用于三至六個(gè)端口？梢允褂枚噙_(dá)兩個(gè)片盒站來(lái)增加產(chǎn)量。傳送腔室可以配備多種選擇。
更新時(shí)間:2024-12-20
plasmapro 800系列是結(jié)構(gòu)緊湊、且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng)，該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應(yīng)離子蝕刻（rie）工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的晶圓平臺(tái)能夠處理量產(chǎn)別的批量以及300mm晶圓的工藝。
更新時(shí)間:2024-12-20
使用分辨率≤1.2m提供i-line功能適應(yīng)具有10米聚焦深度的具有挑戰(zhàn)性的過(guò)程需求大限度地提高生產(chǎn)率，吞吐量超過(guò)75 wph用22 mm的場(chǎng)地尺寸增強(qiáng)與nsr步進(jìn)器的混合和匹配提供出色的覆蓋性能支持背面對(duì)準(zhǔn)0.8米
更新時(shí)間:2024-12-10
candela 8720高集成表面和光致發(fā)光(pl)缺陷檢測(cè)系統(tǒng)可捕捉各種關(guān)鍵的襯底和外延缺陷。利用統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制(spc)方法實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化晶片檢測(cè)顯著降低了由于外延缺陷造成的產(chǎn)量損失，小化了金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(mocvd)反應(yīng)器工藝偏差，并增加了mocvd反應(yīng)器的正常運(yùn)行時(shí)間。
更新時(shí)間:2024-12-10
candela 8420是一種表面缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，它使用多通道檢測(cè)和基于規(guī)則的缺陷寧濱來(lái)檢測(cè)不透明、半透明和透明晶圓上的顆粒和劃痕，如砷化鎵(gaas)、磷化銦(inp)、鉭酸鋰、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石和其他化合物半導(dǎo)體材料。8420表面缺陷檢測(cè)系統(tǒng)采用有的osa(光學(xué)表面分析儀)架構(gòu)，可同時(shí)測(cè)量散射強(qiáng)度、形貌變化、表面反射率和相移，用于自動(dòng)檢測(cè)和分類各種感興趣的缺陷(doi)。
更新時(shí)間:2024-12-10
全球業(yè)的沉積設(shè)備制造商，為各個(gè)域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延mbe、有機(jī)分子束沉積ombd、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)pecvd/icp etcher、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、離子泵等。
更新時(shí)間:2024-12-10
全球業(yè)的沉積設(shè)備制造商，為各個(gè)域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延mbe、有機(jī)分子束沉積ombd、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)pecvd/icp etcher、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、離子泵等。
更新時(shí)間:2024-12-10
德國(guó)總部直接采購(gòu)heute清潔系統(tǒng)，原裝產(chǎn)品，貨期好，支持選型，為您提供對(duì)好的解決方案：赫爾納大連公司在中國(guó)設(shè)有10個(gè)辦事處，可為您提供好的維修服務(wù)。
更新時(shí)間:2024-11-06
1、微電腦液晶顯示屏，可在線實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)ro水和up水水質(zhì)2、采用一柱雙芯一體式純化柱，更換簡(jiǎn)單，使用壽命長(zhǎng)3、監(jiān)控濾芯更換周期，中文顯示濾芯更換信息4、采用原裝進(jìn)口陶氏反滲透膜和陶氏樹(shù)脂，保證產(chǎn)水水質(zhì)進(jìn)水要求
更新時(shí)間:2024-10-25
1、微電腦液晶顯示屏，可在線實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)ro水和up水水質(zhì)2、采用一柱雙芯一體式純化柱，更換簡(jiǎn)單，使用壽命長(zhǎng)3、監(jiān)控濾芯更換周期，中文顯示濾芯更換信息4、采用原裝進(jìn)口陶氏反滲透膜和陶氏樹(shù)脂，保證產(chǎn)水水質(zhì)進(jìn)水要求
更新時(shí)間:2024-10-25
該設(shè)備針對(duì)性地提煉與新能源汽車直接相關(guān)的電工、電子、數(shù)電、模電等方面的核心、必備知識(shí)要點(diǎn)，并通過(guò)從“基本原理”落地到“在新能源汽車上的具體應(yīng)用”進(jìn)行系統(tǒng)性、原理性教學(xué)，為學(xué)生建立理論基礎(chǔ)及其在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用方法。設(shè)備涵蓋了典型的半導(dǎo)體元器件、基本放大電路、多級(jí)放大電路、集成運(yùn)算放大器電路、脈沖波形產(chǎn)生變換電路、功率放大電路、組合邏輯電路、a/d和d/a轉(zhuǎn)換電路、汽車車前燈模塊等典型元器件與電
更新時(shí)間:2024-09-24
該單元應(yīng)用于各職業(yè)院校、培訓(xùn)機(jī)構(gòu)的電工、電子維修排故訓(xùn)練設(shè)備。 人機(jī)界面采用液晶顯示屏，操作簡(jiǎn)單明了，具有很好的互交性。 控制芯片采用stc89c52，輸出部分采用臺(tái)灣產(chǎn)繼電器，所有元器件均經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試。 電路設(shè)計(jì)優(yōu)化合理，生產(chǎn)工藝嚴(yán)格完善，保證機(jī)器的可靠性和穩(wěn)定性。 可設(shè)置更多個(gè)故障點(diǎn)（擴(kuò)容后）。 故障編號(hào)可以隨意更改。 每個(gè)故障點(diǎn)都可以設(shè)置為開(kāi)路或短路故障。 設(shè)置的參數(shù)在斷電后不會(huì)丟失。 輸出
更新時(shí)間:2024-09-24
r2p/r2r微納米結(jié)構(gòu)壓印，納米壓印光刻機(jī)，紫外固化壓印機(jī)，紫外固化納米結(jié)構(gòu)壓印機(jī) uv固化納米壓印機(jī)，紫外固化納米結(jié)構(gòu)壓印機(jī) uv固化納米壓印機(jī)
更新時(shí)間:2024-09-15
在過(guò)去的幾年中，半導(dǎo)體器件和ic生產(chǎn)等微電子技術(shù)已發(fā)展到深亞微米階段及納米階段。為了追求晶片更高的運(yùn)算速度與更高的效能，三十多年來(lái)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循著摩爾定律（moore’s law）：每十八個(gè)月單一晶片上電晶體的數(shù)量倍增，持續(xù)地朝微小化努力。為繼續(xù)摩爾定律，在此期間，與微電子域相關(guān)的微/
更新時(shí)間:2024-09-14
量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備ne-5700/ne-7800量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備ne-5700/ne-7800是可以對(duì)應(yīng)單腔及多腔、重視性價(jià)比擁有擴(kuò)展性的刻蝕設(shè)備。
更新時(shí)間:2024-06-27
nre-4000是一款獨(dú)立式rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過(guò)600w,13.56mhz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500v.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時(shí)間:2024-03-28
nre-3500（m）rie反應(yīng)離子刻蝕機(jī)概述：獨(dú)立式rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過(guò)600w,13.56mhz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500v.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時(shí)間:2024-03-28
nre-3500（a）全自動(dòng)rie反應(yīng)離子刻蝕機(jī)概述：獨(dú)立式rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過(guò)600w,13.56mhz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500v.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時(shí)間:2024-03-28
nre-3000rie反應(yīng)離子刻蝕機(jī)概述：獨(dú)立式rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過(guò)600w,13.56mhz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500v.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時(shí)間:2024-03-28
npc-4000（m）等離子刻蝕機(jī)概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨(dú)一無(wú)二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說(shuō)可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用。
更新時(shí)間:2024-03-28
npc-4000（a）全自動(dòng)等離子刻蝕機(jī)概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨(dú)一無(wú)二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說(shuō)可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用
更新時(shí)間:2024-03-28
npc-3500（m）等離子刻蝕機(jī)概述：nano-master 等離子灰化和清洗系統(tǒng)是專門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨(dú)一無(wú)二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說(shuō)可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用
更新時(shí)間:2024-03-28
npc-3500（a）全自動(dòng)等離子刻蝕機(jī)概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨(dú)一無(wú)二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說(shuō)可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用。
更新時(shí)間:2024-03-28
npc-3000等離子刻蝕機(jī)概述：nano-master 等離子灰化和清洗系統(tǒng)是專門(mén)設(shè)計(jì)用來(lái)滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應(yīng)用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨(dú)一無(wú)二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說(shuō)可以支持各向同性和各向異性的各種應(yīng)用。
更新時(shí)間:2024-03-28
nano-master的離子束刻蝕系統(tǒng)具有很強(qiáng)的適應(yīng)性，可根據(jù)不同的應(yīng)用而按不同的配置進(jìn)行建構(gòu)。多樣的樣片夾具和離子源配置可支持用戶不同的應(yīng)用。用于離子束系統(tǒng)（或稱離子銑系統(tǒng)）的樣片夾具可以支持±90°傾斜、旋轉(zhuǎn)、水冷和背氦冷卻。 nano-master技術(shù)已經(jīng)展示了可以把基片文庫(kù)保持在50°c以內(nèi)的能力。通過(guò)傾斜和旋轉(zhuǎn)，可以刻蝕出帶斜坡的槽，并且改善了對(duì)側(cè)壁輪廓和徑向均勻度的控制。
更新時(shí)間:2024-03-28
nie-4000（a）全自動(dòng)ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無(wú)法在rie系統(tǒng)中完成。然而通過(guò)加速的ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過(guò)熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
更新時(shí)間:2024-03-28
nie-4000（r）ribe反應(yīng)離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無(wú)法在rie系統(tǒng)中完成。然而通過(guò)加速的ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過(guò)熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
更新時(shí)間:2024-03-28
nie-3500（m）ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為計(jì)算機(jī)全自動(dòng)實(shí)現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨(dú)立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、自動(dòng)化程度高、模塊化設(shè)計(jì)易于維護(hù)、低成本的優(yōu)勢(shì)。所有核心組件均為國(guó)際知名品牌。
更新時(shí)間:2024-03-28
nie-3500（a）全自動(dòng)ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為全自動(dòng)上下載片，并且通過(guò)計(jì)算機(jī)全自動(dòng)實(shí)現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨(dú)立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、自動(dòng)化程度高、模塊化設(shè)計(jì)易于維護(hù)、低成本的優(yōu)勢(shì)。該系統(tǒng)所配套的所有核心組件均為國(guó)際知名品牌。
更新時(shí)間:2024-03-28
nie-3000ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為手動(dòng)放片取片，但通過(guò)計(jì)算機(jī)全自動(dòng)實(shí)現(xiàn)工藝控制的臺(tái)式離子束刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、自動(dòng)化程度高、模塊化設(shè)計(jì)易于維護(hù)、低成本的優(yōu)勢(shì)。該系統(tǒng)所配套的所有核心組件均為國(guó)際知名品牌。
更新時(shí)間:2024-03-28
nre-4000（icpa）全自動(dòng)icp刻蝕系統(tǒng)概述：自動(dòng)上下載片，是帶icp等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng)，具有高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕能力？蓪(shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕iii-v化合物（如gaas，inp，gan，insb）、ii-vi化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如sio2、si3n4、sic、sige）等。
更新時(shí)間:2024-03-28
ndr-4000（a）全自動(dòng)drie深反應(yīng)離子刻蝕概述：全自動(dòng)上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8" icp源。系統(tǒng)可以配套500l/s抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mtorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。
更新時(shí)間:2024-03-28
ndr-4000（m）drie深反應(yīng)離子刻蝕概述：是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8" icp源。系統(tǒng)可以配套500l/s抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mtorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。
更新時(shí)間:2024-03-28
nre-4000（icpm）icp刻蝕系統(tǒng)概述：是帶icp等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果？蓪(shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕iii-v化合物（如gaas，inp，gan，insb）、ii-vi化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如sio2、si3n4、sic、sige）等。
更新時(shí)間:2024-03-28
nre-4000是一款獨(dú)立式rie反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過(guò)600w,13.56mhz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500v.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時(shí)間:2024-03-28
fei vion plasma 聚焦離子束系統(tǒng)(fib)能使您的實(shí)驗(yàn)室實(shí)力大增，因?yàn)橹恍柽@一臺(tái)使用簡(jiǎn)便的設(shè)備便可獲得yi流的光刻和成像性能。采用等離子源技術(shù)的 vion pfib 擁有比傳統(tǒng)鎵 fib
更新時(shí)間:2024-03-15
最新產(chǎn)品
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