等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品及廠家
sentech si 500 ccp 系統(tǒng)使用動(dòng)態(tài)溫度控制和氦背冷卻，代表了材料蝕刻靈活性的優(yōu)勢(shì)。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。具有動(dòng)態(tài)溫度控制功能的襯底電與氦氣背面冷卻和晶圓背面溫度傳感相結(jié)合，可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件。
更新時(shí)間:2024-08-14
sentech si 591 緊湊型 rie 等離子蝕刻系統(tǒng)具有負(fù)載鎖定功能，是氯基和氟基 rie 的緊湊型解決方案。具有出色的工藝可重復(fù)性和等離子蝕刻工藝靈活性，這得益于真空負(fù)載鎖定和由計(jì)算機(jī)控制的等離子體蝕刻工藝條件。靈活性、模塊化和小尺寸是 sentech si 591 compact 的設(shè)計(jì)特點(diǎn)？梢匝b載直徑達(dá) 200 mm 的樣品和載體。該系統(tǒng)可以配置為穿墻操作或具有多種選項(xiàng)的小占地
更新時(shí)間:2024-08-14
sentech etchlab 200 rie等離子蝕刻系統(tǒng)代表了一系列直接加載等離子體蝕刻系統(tǒng)，結(jié)合了rie平行板電設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)和直接負(fù)載的成本效益設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2024-08-14
sentech si 500 c 低溫 icp-rie 等離子體蝕刻系統(tǒng)代表了電感耦合等離子體 （icp） 處理的沿技術(shù)，其寬溫度范圍為 -150 °c 至 150 °c。 該工具包括 icp 等離子體源 ptsa、一個(gè)動(dòng)態(tài)溫控基板電、一個(gè)受控的真空系統(tǒng)和一個(gè)非常易于操作的用戶界面。靈活性和模塊化是設(shè)計(jì)特點(diǎn)。該系統(tǒng)可以配置為處理各種精細(xì)結(jié)si, sio2, si3n4, gaas和inp
更新時(shí)間:2024-08-14
herent® chimera® m 金屬刻蝕設(shè)備，為針對(duì)12英寸ic產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開發(fā)的用產(chǎn)品， 同時(shí)也可應(yīng)用于鋁墊（al pad）刻蝕。該設(shè)備承襲了 chimera® a 的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念，具有出色的均勻性調(diào)控手段， 可以為客戶提供高性價(jià)比的解決方案。
更新時(shí)間:2024-08-14
herent® chimera® a 金屬硬掩膜刻蝕設(shè)備，為針對(duì) 12 英寸 ic 產(chǎn)業(yè)的后道銅互連中氮化鈦（tin）金屬硬掩膜刻蝕（metal hardmask open） 這一
更新時(shí)間:2024-08-14
tebaank® pishow® p 硅刻蝕設(shè)備是面向8英寸集成電路制造的量產(chǎn)型設(shè)備設(shè)備由電感耦合等離子體刻蝕腔（icp etch chamber）以及傳輸模塊（transfer module）構(gòu)成適用于0.11微米及其它技術(shù)代的多晶硅柵（poly gate）、側(cè)墻（spacer）、淺溝槽隔離（sti）工藝
更新時(shí)間:2024-08-14
kessel™ pishow® m 金屬刻蝕設(shè)備為可用于8英寸的ic產(chǎn)線鋁金屬工藝的量產(chǎn)型機(jī)臺(tái)，基于自有開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證了優(yōu)異的刻蝕均勻性（片內(nèi)<8%，片間<5%）和顆粒控制。在4微米厚鋁刻蝕工藝中，可以提供8000片/月的產(chǎn)能。
更新時(shí)間:2024-08-14
詳細(xì)介紹icp是一種加工微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。具有刻蝕快、選擇比高、各項(xiàng)異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優(yōu)點(diǎn)。目被廣泛應(yīng)用于si、sio2、sinx、金屬、iii-v族化合物等材料的刻蝕？蓱(yīng)用于大規(guī)模集成電路、mems、光波導(dǎo)、光電子器件等域中各種微結(jié)構(gòu)的制作。
更新時(shí)間:2024-08-14
ccp腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過程中，等離子體中會(huì)包含大量的活性粒子，與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成可揮發(fā)產(chǎn)物后，隨真空抽氣系統(tǒng)排出。魯汶儀器的 haasrode® avior® a 在性價(jià)比和空間利用率上優(yōu)點(diǎn)突出，可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。
更新時(shí)間:2024-08-14
pishow® d 系列深刻蝕設(shè)備，是針對(duì)8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的用設(shè)備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計(jì)，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。提供si bosch工藝的解決方案。該設(shè)備高性價(jià)比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可幫助不同客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能升。
更新時(shí)間:2024-08-14
lmec-300™ 是魯汶儀器針對(duì)特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設(shè)備，應(yīng)用于新興存儲(chǔ)器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復(fù)雜的金屬疊層，例如磁存儲(chǔ)器的磁隧道節(jié)（mtj）、相
更新時(shí)間:2024-08-14
pangea®a系列常規(guī)ibs設(shè)備由離子源柵引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來刻蝕任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨(dú)立控制，提升了工藝可控性。
更新時(shí)間:2024-08-14
lorem® a 系列常規(guī) ibs 設(shè)備，由離子源柵引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案，幾
更新時(shí)間:2024-08-14
eis-1500是由elionix研發(fā)的108mm的大直徑光束，通過充分利用光束面內(nèi)分布監(jiān)控功能，可以實(shí)現(xiàn)各向異性干法蝕刻的離子束刻蝕設(shè)備。
更新時(shí)間:2024-08-09
eis-200erp是由elionix研發(fā)的離子束刻蝕設(shè)備，緊湊和高性能，使用 ecr 離子束可以進(jìn)行納米蝕刻和沉積，制品特微。
更新時(shí)間:2024-08-09
對(duì)應(yīng)光學(xué)器件、mems制造的干法刻蝕裝置nld-5700對(duì)應(yīng)光學(xué)器件、mems制造的干法刻蝕裝置nld-5700是搭載了磁性中性線（nld- neutral loop discharge）等離子源的量產(chǎn)用干法刻蝕裝置。（可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度、高密度的等離子）
更新時(shí)間:2024-06-27
nmc 508系列 ccp介質(zhì)刻蝕機(jī)多頻解耦設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的均勻性及高深寬比介質(zhì)刻蝕
更新時(shí)間:2024-06-21
1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應(yīng)腔的開腔破真空
更新時(shí)間:2024-06-04
?1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)?2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)?3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應(yīng)腔的開腔破真空
更新時(shí)間:2024-06-04
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