銅靶材鍍膜濺射儀

以銅 (cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時(shí),不可避免地會(huì)引入硫、鉛等其他雜質(zhì)含量.微量的硫可以防止熱加工時(shí)晶粒尺寸增大或產(chǎn)生微裂紋;但當(dāng)硫元素含量高于18 ppm時(shí),會(huì)出現(xiàn)微裂紋;隨著兩種雜質(zhì)元素

價(jià)格：電議 型號(hào)：KT-Z1650PVD 所在地：河南鄭州市

銀靶材離子濺射儀

銀是一種柔軟，有光澤的元素，屬于元素周期表中的金屬過渡族。它的熔點(diǎn)為961.78℃，密度為10.49g /cm3.銀的理化性質(zhì)均較為穩(wěn)定，導(dǎo)熱、導(dǎo)電性能很好，質(zhì)軟，富延展性。銀的理化性質(zhì)均較為穩(wěn)定，導(dǎo)

價(jià)格：電議 型號(hào)：KT-Z1650PVD 所在地：河南鄭州市

高純度金靶材磁控濺射儀

不同的蒸發(fā)速率下沉積300nm的au薄膜,研究蒸發(fā)速率對(duì)薄膜表面形貌和性能的影響。隨著蒸發(fā)速率的提高,薄膜的結(jié)構(gòu)變得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度減小。高純度金靶材磁控濺射儀kt-z1650pvd在較短時(shí)

價(jià)格：電議 型號(hào)：KT-Z1650CVD 所在地：河南鄭州市

濺射靶材，陶瓷靶材，貴金屬靶材，合金靶材

濺射靶材，陶瓷靶材，貴金屬靶材，合金靶材

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

高純鈀，鈀絲，鈀片，鈀顆粒，鈀粉，鈀靶材，鈀蒸發(fā)料

高純鈀，鈀絲，鈀片，鈀顆粒，鈀粉，鈀靶材，鈀蒸發(fā)料

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

金絲，金蒸發(fā)料，金片，高純金，金靶材，金顆粒

金絲，金蒸發(fā)料，金片，高純金，金靶材，金顆粒

價(jià)格：電議 型號(hào)： 所在地：北京北京市

高純銠靶材 Rh target 鉑銠合金靶材

名稱： 銠靶材/rh target 純度99.99%由于貴金屬價(jià)格變動(dòng)較大，請(qǐng)咨詢客服，僅當(dāng)日?qǐng)?bào)價(jià)有效尺寸： φ50.8*3，φ76.2*3 可定制

價(jià)格：￥23000 型號(hào)：Rh 所在地：北京北京市

高純銻靶材 銻顆粒 碲化銻靶材 氧化銻顆粒

名稱： 銻靶材/sb target純度： 99.99%尺寸： φ50.8*3，φ76.2*3 可定制

價(jià)格：￥800 型號(hào)：Sb 所在地：北京北京市

高純鈧靶材 鈧顆粒 氧化鈧靶材 Sc target

名稱： 鈧塊材/sc target純度： 99.9%尺寸： 1-10cm 可定制

價(jià)格：￥1000 型號(hào)：Sc 所在地：北京北京市

高純硒靶材 硒顆粒 碲化鎘靶材 硒化銻靶材

名稱： 硒靶材/se target純度： 99.99%尺寸： φ50.8*3，φ76.2*3 可定制

價(jià)格：￥800 型號(hào)：Se 所在地：北京北京市

高純硅靶材 硅顆粒 氧化硅靶材 氮化硅靶材

名稱： 硅靶材/si target純度： 99.999%尺寸： φ50.8*3，φ76.2*3 可定制

價(jià)格：￥500 型號(hào)：Si 所在地：北京北京市